|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Al2O3/AlN/GaN MOS-HEMTs on 6-inch silicon substrate with high transconductance and state-of-the-art fmax × LG |
| Auteur: |
Qin, Lingjie Zhu, Jiejie Zhang, Bowen Zhou, Yuxi Duan, Huantao Ma, Huimei Li, Mengdi Huang, Simei Rao, Jin Ma, Xiaohua Hao, Yue |
| Verschenen in: |
Science China information sciences |
| Paginering: | Jaargang 68 () nr. 3 pagina's xx |
| Jaar: |
2025-02-12 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Science China Press, Beijing |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |