|
Effective gate length model for asymmetrical gate-all-around silicon nanowire transistors |
|
|
|
Titel: |
Effective gate length model for asymmetrical gate-all-around silicon nanowire transistors |
Auteur: |
Dong, Xiaoqiao Li, Ming Zhang, Wanrong Yang, Yuancheng Chen, Gong Sun, Shuang Wang, Jianing Xu, Xiaoyan An, Xia |
Verschenen in: |
Science China information sciences |
Paginering: |
Jaargang 63 () nr. 10 pagina's xx |
Jaar: |
2020-05-20 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Science China Press, Beijing |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|