|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
GeC film with high substitutional carbon concentration formed by ion implantation and solid phase epitaxy for strained Ge n-MOSFETs |
| Auteur: |
Zhang, Bingxin An, Xia Hu, Xiangyang Li, Ming Zhang, Xing Huang, Ru |
| Verschenen in: |
Science China information sciences |
| Paginering: | Jaargang 61 (2018) nr. 6 pagina's 1-3 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Science China Press, Beijing |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |