|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
A threshold voltage and drain current model for symmetric dual-gate amorphous InGaZnO thin film transistors |
| Auteur: |
Cai, Minxi Yao, Ruohe |
| Verschenen in: |
Science China information sciences |
| Paginering: | Jaargang 61 (2017) nr. 2 pagina's 1-10 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Science China Press, Beijing |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |