|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
An accurate analytical I–V model for sub-90-nm MOSFETs and its application to read static noise margin modeling |
| Auteur: |
Afzal, Behrouz Ebrahimi, Behzad Afzali-Kusha, Ali Pedram, Massoud |
| Verschenen in: |
Journal of Zhejiang University, Science C, Computers & electronics |
| Paginering: | Jaargang 13 (2012) nr. 1 pagina's 58-70 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP Zhejiang University Press, Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |