|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
First-principles study of the electronic structure of 2 H-, 3C-, 4 H-, and 6 H-silicon carbide under strain |
| Auteur: |
Zhang, Shuchao Shi, Changhai Wang, Bangzhao Zhang, Zichen |
| Verschenen in: |
European physical journal. B, Condensed matter and complex systems |
| Paginering: | Jaargang 98 () nr. 1 pagina's xx |
| Jaar: |
2025-01-27 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |