|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
Correction to: Quantization Effect in N-Channel Inversion Mode Si, In0.53Ga0.47As and Ge Based Double Gate MOSFET Using Quasi-Static Capacitance–Voltage Characteristics for Upcoming Sub 10 nm Technology Node |
| Auteur: |
Sanjay, Kumar, Vibhor Vohra, Anil |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 16 () nr. 8 pagina's 3341-3342 |
| Jaar: |
2024-04-18 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |