|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
DFT-based Atomic Calculation of Si-doped HfO2 and Effect of its Negative Capacitance on Analog/RF, and VTC Parameters of MOSFET |
| Auteur: |
Mann, Rashi Chaujar, Rishu |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 16 () nr. 3 pagina's 1237-1252 |
| Jaar: |
2023-11-13 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |