|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of T-Shape Drain Doping Engineering on the Analog/RF and High-Frequency Noise Parameters of Junctionless Si/ Si0.7Ge0.3 FET: A Numerical Simulation Study |
| Auteur: |
Ejlali, Rayhaneh Vadizadeh, Mahdi Haji-Nasiri, Saeed Kashaniniya, Alireza Dana, Arash |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 16 () nr. 18 pagina's 6465-6478 |
| Jaar: |
2024-10-11 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |