|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of O2 and N2 Gas Concentration on the Formation of Ho2O3 Gate Oxide on 4H-SiC Substrate |
| Auteur: |
Odesanya, Kazeem Olabisi Ahmad, Roslina Andriyana, Andri Ramesh, S. Tan, Chou Yong Wong, Yew Hoong |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 2 pagina's 755-761 |
| Jaar: |
2022-08-04 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |