|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Performance Assessments of Gate Engineered Dopingless Schottky Tunnel MOSFET in Presence of Interfacial Trap Charges |
| Auteur: |
Som, Arnab Jana, Sanjay Kumar |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 17 pagina's 7265-7278 |
| Jaar: |
2023-07-02 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |