|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 55 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of Effective Graded Oxide Capacitance and Length Variation on Analog, RF and Power Performances of Dual Gate Underlap MOS-HEMT |
| Auteur: |
Ghosh, Sneha Mondal, Anindita Kar, Mousiki Kundu, Atanu |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 7 pagina's 3383-3393 |
| Jaar: |
2021-04-21 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 55 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |