|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of Influence of SiN and SiO2 Passivation in Gate Field Plate Double Heterojunction Al0.3Ga0.7N/GaN/Al0.04Ga0.96N High Electron Mobility Transistors |
| Auteur: |
Murugapandiyan, P. Nirmal, D. Ajayan, J. Varghese, Arathy Ramkumar, N. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 4 pagina's 1421-1429 |
| Jaar: |
2021-01-21 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |