|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 80 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved Drain Current Characteristics of HfO2/SiO2 Dual Material Dual Gate Extension on Drain Side-TFET |
| Auteur: |
Balaji, B. Srinivasa Rao, K. Girija Sravani, K. B, Kalivaraprasad Bindu Madhav, N. V. Chandrahas, K. Jaswanth, B. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 18 pagina's 12567-12572 |
| Jaar: |
2022-06-16 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 80 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |