|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 57 van 82 gevonden artikelen
| Titel: |
Noise and Device Parameters Sensitivity Analysis of Multi-Peak-Gaussian Doped 4H-SiC Junctionless FET (MG-4H-SiC-JLFET) |
| Auteur: |
Singh, Sangeeta Kumari, Arti Mohammed, Mustafa K. A. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 15 pagina's 9833-9843 |
| Jaar: |
2022-02-09 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 57 van 82 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |