|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Hetro-Dielectric (HD) Oxide-Engineered Junctionless Double Gate all around (DGAA) Nanotube Field Effect Transistor (FET) |
| Auteur: |
Kumar, Raj Kumar, Arvind |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 7 pagina's 2177-2184 |
| Jaar: |
2020-09-15 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |