|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
An Accurate Model for Threshold Voltage Analysis of Dual Material Double Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
| Auteur: |
Chakrabarti, Himeli Maity, Reshmi Baishya, S. Maity, N. P. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 6 pagina's 1851-1861 |
| Jaar: |
2020-07-09 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 35 gevonden artikelen
| volgende >> |