|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
An Improved 4H-SiCMESFET with Un-Doped and Recessed Area under the Gate for High Power Applications |
| Auteur: |
Razavi, S. M. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 11 pagina's 3889-3897 |
| Jaar: |
2020-09-13 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |