|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 33 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation Study of Carbon Vacancy Trapping Effect on Low Power 4H-SiC MOSFET Performance |
| Auteur: |
Bencherif, Hichem Dehimi, Lakhdar Athamena, Nour eddine Pezzimenti, Fortunato Megherbi, Mohamed Larbi Della Corte, Francesco Giuseppe |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 10 pagina's 3629-3637 |
| Jaar: |
2021-01-06 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 33 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |