|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of Double Gaussian Distribution at the Interface of Ni/Ta2O5/P-Si Schottky Barrier Diodes Using Temperature Dependent Current-Voltage (I-V) Measurements |
| Auteur: |
Reddy, Nallabala Nanda Kumar Kukkambakam, Chandramohan Manjunath, V. Reddy, Vasudeva Reddy Minnam |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 1 pagina's 65-71 |
| Jaar: |
2020-02-11 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |