|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications |
| Auteur: |
Mondal, Arnab Roy, Akash Mitra, Rajrup Kundu, Atanu |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 12 () nr. 9 pagina's 2251-2257 |
| Jaar: |
2019-11-26 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |