|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Reduction in Self-Heating Effect of SOI MOSFETs by Three Vertical 4H-SiC Layers in the BOX |
| Auteur: |
Tahne, Behrooz Abdi Naderi, Ali Heirani, Fatemeh |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 12 () nr. 4 pagina's 975-986 |
| Jaar: |
2019-06-14 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |