|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of Annealing Temperature on Structural and Electrical Properties of Al/ZrO2/p-Si MIS Schottky Diodes |
| Auteur: |
Sasikumar, K. Bharathikannan, R. Raja, M. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 11 (2018) nr. 1 pagina's 137-143 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |