|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of Annealing Temperature on Structural and dc Electrical Properties of SnO2 Thin Films for Schottky Barrier Diodes |
| Auteur: |
Ravikumar, K. Agilan, S. Muthukumarasamy, N. Raja, M. Lakshmanan, Raja Ganesh, R. |
| Verschenen in: |
SILICON |
| Paginering: | Jaargang 10 (2017) nr. 4 pagina's 1591-1599 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Netherlands, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |