|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical drain current model of stacked oxide SiO2/HfO2 cylindrical gate tunnel FETs with oxide interface charge |
| Auteur: |
Singh, P K Baral, K Kumar, S Chander, S Jit, S |
| Verschenen in: |
Indian journal of physics |
| Paginering: | Jaargang 94 () nr. 6 pagina's 841-849 |
| Jaar: |
2019-06-25 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer India, New Delhi |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 20 gevonden artikelen
| volgende >> |