|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulating the nucleation and growth of Ge quantum dots on Si using high-efficiency algorithms |
| Auteur: |
Novikov, P. L. Nenashev, A. V. Rudin, S. A. Polyakov, A. S. Dvurechenskii, A. V. |
| Verschenen in: |
Nanotechnologies in Russia |
| Paginering: | Jaargang 10 (2015) nr. 3-4 pagina's 192-204 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |