|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Atomic structure of extended defects in boron-implanted silicon layers |
| Auteur: |
Fedina, L. I. Gutakovskii, A. K. Latyshev, A. V. |
| Verschenen in: |
Optoelectronics, instrumentation and data processing |
| Paginering: | Jaargang 50 (2014) nr. 3 pagina's 241-246 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Allerton Press, Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |