|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical modeling of GaAs field-effect transistor characteristics as functions of channel doping profile parameters |
| Auteur: |
Shestakov, A. K. Zhuravlev, K. S. |
| Verschenen in: |
Optoelectronics, instrumentation and data processing |
| Paginering: | Jaargang 48 (2012) nr. 1 pagina's 105-109 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Allerton Press, Inc., Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |