|
Formation of type-II InAs/GaSb strained short-period superlattices for IR photodetectors by molecular beam epitaxy |
|
|
|
Titel: |
Formation of type-II InAs/GaSb strained short-period superlattices for IR photodetectors by molecular beam epitaxy |
Auteur: |
Emel’yanov, E. A. Feklin, D. F. Vasev, A. V. Putyato, M. A. Semyagin, B. R. Vasilenko, A. P. Pchelyakov, O. P. Preobrazhenskii, V. V. |
Verschenen in: |
Optoelectronics, instrumentation and data processing |
Paginering: |
Jaargang 47 (2011) nr. 5 pagina's 452-458 |
Jaar: |
2011 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Allerton Press, Inc., Heidelberg |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|