|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of thermal annealing and cooling conditions of P-doped n-Si crystals on the temperature dependences of the charge carrier mobility in the impurity scattering region |
| Auteur: |
Gaidar, G. P. |
| Verschenen in: |
Surface engineering and applied electrochemistry |
| Paginering: | Jaargang 49 (2013) nr. 6 pagina's 517-522 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |