|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 6 gevonden artikelen
| Titel: |
On the Mechanism of GaN layer growth and defect formation in the GaN-GaAs system |
| Auteur: |
Rogozin, I. V. Georgobiani, A. N. |
| Verschenen in: |
Bulletin of the Lebedev Physics Institute |
| Paginering: | Jaargang 34 (2007) nr. 4 pagina's 114-118 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Allerton Press, Inc., New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 6 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |