|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Noncontact determination of the rate of surface recombination of nonequilibrium charge carriers at the p–p+ (n–n+) boundaries of n+–p(n)–p+ silicon structures by means of compensation |
| Auteur: |
Koshelev, O. G. Vasiljev, N. G. |
| Verschenen in: |
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics |
| Paginering: | Jaargang 82 (2018) nr. 1 pagina's 98-101 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |