|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of the effect of low intensity ionizing radiation on MOS elements of VLSI circuits |
| Auteur: |
Levin, M. N. Bondarenko, E. V. Tatarintsev, A. V. Gitlin, V. R. Makarenko, V. A. |
| Verschenen in: |
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics |
| Paginering: | Jaargang 73 (2009) nr. 2 pagina's 252-255 |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Allerton Press, Inc., Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |