|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 53 gevonden artikelen
| Titel: |
Experimental and simulation study of charge transport mechanism in HfTiOx high-k gate dielectric on SiGe heterolayers |
| Auteur: |
Maiti, P P Dash, Ajit Guhathakurata, S Das, S BAG, Atanu Dash, T P Ahmad, G MAITI, C K Mallik, S |
| Verschenen in: |
Bulletin of materials science |
| Paginering: | Jaargang 45 () nr. 1 pagina's xx |
| Jaar: |
2022-02-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Indian Academy of Sciences, Bangalore |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 53 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |