|
650 nm GalnP/AlGaInP laser diodes with low threshold and compressively strained MQW active layer |
|
|
|
Titel: |
650 nm GalnP/AlGaInP laser diodes with low threshold and compressively strained MQW active layer |
Auteur: |
Xia, Wei Li, Shu-qiang Wang, Ling Ma, De-ying Zhang, Xin Wang, Fu-xun Ji, Gang Liu, Ding-wen Ren, Zhong-xiang Xu, Xian-gang Mei, Liang-mo |
Verschenen in: |
Optoelectronics letters |
Paginering: |
Jaargang 2 (2006) nr. 4 pagina's 263-265 |
Jaar: |
2006 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Tianjin University of Technology, Tianjin |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|