|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
TEM study of dislocations structure in In0.82Ga0.18As/InP heterostructure with InGaAs as buffer layer |
| Auteur: |
Zhao, Liang Guo, Zuo-xing Yuan, De-zeng Wei, Qiu-lin Zhao, Lei |
| Verschenen in: |
Optoelectronics letters |
| Paginering: | Jaargang 12 (2016) nr. 3 pagina's 192-194 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Tianjin University of Technology, Tianjin |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |