|
1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer |
|
|
|
Titel: |
1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer |
Auteur: |
He, Wei Li, Jian Liao, Zeliang Lin, Feng Wu, Junye Wang, Bing Wang, Maojun Liu, Nan Chiu, Hsien-Chin Kuo, Hao-Chung Lin, Xinnan Li, Jingbo Liu, Xinke |
Verschenen in: |
Nanoscale research letters |
Paginering: |
Jaargang 17 () nr. 1 pagina's xx |
Jaar: |
2022-01-15 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|