|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 46 van 128 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly Reliable Memory Operation of High-Density Three-Terminal Thyristor Random Access Memory |
| Auteur: |
Kim, Hyangwoo Cho, Hyeonsu Kwak, Hyeon-Tak Seo, Myunghae Lee, Seungho Kong, Byoung Don Baek, Chang-Ki |
| Verschenen in: |
Nanoscale research letters |
| Paginering: | Jaargang 17 () nr. 1 pagina's xx |
| Jaar: |
2022-02-23 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 46 van 128 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |