|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 7 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1−xCdxTe in wide temperature range |
| Auteur: |
Voitsekhovskii, A. V. Nesmelov, S. N. Dzyadukh, S. M. |
| Verschenen in: |
Opto-electronics review |
| Paginering: | Jaargang 22 (2014) nr. 4 pagina's 236-244 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Versita, Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 7 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |