|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Capacitance-voltage characteristics of MIS-structures on the basis of graded-band MBE Hg1−xCdxTe at passivation by epitaxially grown in situ CdTe |
| Auteur: |
Voitsekhovskii, A.V. Nesmelov, S.N. Dzyadukh, S.M. Varavin, V.S. Dvoretskii, S.A. Mikhailov, N.N. Sidorov, Yu.G. Yakushev, M.V. |
| Verschenen in: |
Opto-electronics review |
| Paginering: | Jaargang 18 (2010) nr. 3 pagina's 263-266 |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP Versita, Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |