|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Aspect ratio of radiation-hardened MOS transistors - Kanalgröße eines strahlungsfesten MOS-Transistors. Modellierung der äquivalenten Kanalgröße eines integrierten MOS-Transistors mit strahlungsfestem ”enclosed“-Layout |
| Auteur: |
Bezhenova, Varvara Michalowska-Forsyth, Alicja |
| Verschenen in: |
E & I |
| Paginering: | Jaargang 135 (2018) nr. 1 pagina's 61-68 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Vienna, Vienna |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |