Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
Titel:
Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
Auteur:
Kordyasz, A. J. Neindre, N. Le Parlog, M. Casini, G. Bougault, R. Poggi, G. Bednarek, A. Kowalczyk, M. Lopez, O. Merrer, Y. Vient, E. Frankland, J. D. Bonnet, E. Chbihi, A. Gruyer, D. Borderie, B. Ademard, G. Edelbruck, P. Rivet, M. F. Salomon, F. Bini, M. Valdré, S. Scarlini, E. Pasquali, G. Pastore, G. Piantelli, S. Stefanini, A. Olmi, A. Barlini, S. Boiano, A. Rosato, E. Meoli, A. Ordine, A. Spadaccini, G. Tortone, G. Vigilante, M. Vanzanella, E. Bruno, M. Serra, S. Morelli, L. Guerzoni, M. Alba, R. Santonocito, D. Maiolino, C. Cinausero, M. Gramegna, F. Marchi, T. Kozik, T. Kulig, P. Twaróg, T. Sosin, Z. Ga̧sior, K. Grzeszczuk, A. Zipper, W. Sarnecki, J. Lipiński, D. Wodzińska, H. Brzozowski, A. Teodorczyk, M. Gajewski, M. Zagojski, A. Krzyżak, K. Tarasiuk, K. J. Khabanowa, Z. Kordyasz, Ł.