|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions |
| Auteur: |
Zegrya, G. G. Ulin, V. P. Zegrya, A. G. Ulin, N. V. Frayman, V. M. Mikhailov, Yu. M. |
| Verschenen in: |
Technical physics |
| Paginering: | Jaargang 66 () nr. 2 pagina's 367 |
| Jaar: |
2021-03-01 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |