|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Crystallization of β-SiC in thin SiCx layers (x = 0.03−1.40) synthesized by multiple implantation of carbon ions into silicon |
| Auteur: |
Beisenkhanov, N. B. |
| Verschenen in: |
Technical physics |
| Paginering: | Jaargang 56 (2011) nr. 2 pagina's 274-281 |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP MAIK Nauka/Interperiodica, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |