|
Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates |
|
|
|
Titel: |
Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates |
Auteur: |
Mizerov, A. M. Kukushkin, S. A. Sharofidinov, Sh. Sh. Osipov, A. V. Timoshnev, S. N. Shubina, K. Yu. Berezovskaya, T. N. Mokhov, D. V. Buravlev, A. D. |
Verschenen in: |
Physics of the solid state |
Paginering: |
Jaargang 61 () nr. 12 pagina's 2277-2281 |
Jaar: |
2020-02-21 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|