|
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography |
|
|
|
Titel: |
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography |
Auteur: |
Rodin, S. N. Lundin, W. V. Tsatsulnikov, A. F. Sakharov, A. V. Usov, S. O. Mitrofanov, M. I. Levitskii, I. V. Evtikhiev, V. P. Kaliteevski, M. A. |
Verschenen in: |
Physics of the solid state |
Paginering: |
Jaargang 61 () nr. 12 pagina's 2335-2337 |
Jaar: |
2020-02-21 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|