|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions |
| Auteur: |
Sobolev, N. A. Kalyadin, A. E. Aruev, P. N. Zabrodskii, V. V. Shek, E. I. Shtel’makh, K. F. Karabeshkin, K. V. |
| Verschenen in: |
Physics of the solid state |
| Paginering: | Jaargang 58 (2016) nr. 12 pagina's 2499-2502 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |