|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN |
| Auteur: |
Bessolov, V. N. Grashchenko, A. S. Konenkova, E. V. Myasoedov, A. V. Osipov, A. V. Red’kov, A. V. Rodin, S. N. Rubets, V. P. Kukushkin, S. A. |
| Verschenen in: |
Physics of the solid state |
| Paginering: | Jaargang 57 (2015) nr. 10 pagina's 1966-1971 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |