|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of the p-n junction breakdown mechanism on the Er3+ ion electroluminescence intensity and excitation efficiency in Si: Er epitaxial layers grown through sublimation molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Shmagin, V. B. Remizov, D. Yu. Krasil’nik, Z. F. Kuznetsov, V. P. Shabanov, V. N. Krasil’nikova, L. V. Kryzhkov, D. I. Drozdov, M. N. |
| Verschenen in: |
Physics of the solid state |
| Paginering: | Jaargang 46 (2004) nr. 1 pagina's 109-112 |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Nauka/Interperiodica, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |