|
The influence of P+, B+, and N+ ion implantation on the luminescence properties of the SiO2: nc-Si system |
|
|
|
Titel: |
The influence of P+, B+, and N+ ion implantation on the luminescence properties of the SiO2: nc-Si system |
Auteur: |
Tetelbaum, D. I. Gorshkov, O. N. Burdov, V. A. Trushin, S. A. Mikhaylov, A. N. Gaponova, D. M. Morozov, S. V. Kovalev, A. I. |
Verschenen in: |
Physics of the solid state |
Paginering: |
Jaargang 46 (2004) nr. 1 pagina's 17-21 |
Jaar: |
2004 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Nauka/Interperiodica, Moscow |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|